Компания Cree Inc. была основана в 1987 г. в штате Северная Каролина (США). Основным направлением компании была и остается по сей день разработка и производство полупроводниковых материалов на основе карбида кремния (SiC). В начале 90-х годов компания начала интенсивные исследования в области светоизлучающих структур нитрида галлия (GaN) и твердых растворов на его основе на подложках из SiC. Благодаря уникальным технологиям производства полупроводниковых материалов на основе SiC, продукция CREE обладает высочайшей надежностью и недостижимыми для конкурентов электрическими характеристиками, что делает возможным ее применение как в бытовой и промышленной, так и в космической аппаратуре.
На сегодняшний день компания Cree является мировым лидером в производстве монокристаллов из карбида кремния и занимает лидирующую позицию как производитель полупроводниковых приборов на основе SiC и GaN на подложках из SiC.
В настоящее время в компании Cree сформировалось пять основных подразделений:
- Materials - производство SiC пластин и эпитаксиальных структур
- LED Chips - светодиодные кристаллы
- Xlamp LEDs - светодиодные лампы
- Power Devices - силовые полупроводниковые приборы на основе SiC, включая высоковольтные диоды Шоттки
- Wireless Devices - СВЧ приборы на основе SiC и GaN
- Официальный сайт CREE Inc.
